建模类型：物理模型、行为模型、经验模型、紧凑型模型。
半导体材料类型： GaAs砷化镓、GaN氮化镓、InP磷化铟、SiGe硅锗
器件类型：HBT、HEMT、MESFET。
模型种类：小信号、非线性
频率范围：DC～110GHz